RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3363
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
INTENSO 5641160 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link