RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3384
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link