RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3384
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 994104 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link