RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3042
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link