RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4151
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link