RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4151
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
UMAX Technology 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link