RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3933
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1866C10 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link