RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 26
    Около 8% меньшая задержка
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB Причины выбрать
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    20.5 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    16.2 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 26
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 20.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 16.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 3687

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
модули RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
модули RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
модули RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
модули RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
модули RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
модули RAM
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
модули RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
модули RAM
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
модули RAM
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
модули RAM