RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.5
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2646
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link