RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3072
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link