RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3072
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link