RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3712
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link