RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2545
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link