RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2756
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link