RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2774
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
INTENSO 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link