RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2824
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link