RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
24
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
19
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2991
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link