RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2920
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link