RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2920
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Corsair CM3X1G1600C9DHX 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link