RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3271
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link