RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3271
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
INTENSO 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link