RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2372
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link