RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2628
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link