RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3418
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link