RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2466
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link