RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
41
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2058
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Lenovo 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link