RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2709
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link