RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3733
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link