RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
66
Около 64% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
66
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1909
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link