RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2937
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link