RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3367
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link