RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3564
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U7CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link