RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3401
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link