RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2732
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link