RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2505
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link