RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2277
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link