RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.0
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2836
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Mushkin 991586 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link