RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.0
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2836
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link