RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3092
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link