RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1901
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link