RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1901
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link