RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2875
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link