RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2875
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KW6 1GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link