RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2483
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link