RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
42
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
42
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2597
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link