RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
40
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
40
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3020
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link