RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2734
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link