RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
52
Около 54% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
52
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2853
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link