RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3423
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link