RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2497
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88G0NF-DI 2GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link