RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2497
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link