RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
47
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
47
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2640
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link