RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link