RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link