RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2355
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB Сравнения RAM
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link