RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2479
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800G1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link