RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3283
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link