RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 25
    Около 4% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 13.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 8.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 17000
    Около 1.13% выше полоса пропускания
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 13.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 8.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2290

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB Сравнения RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
модули RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
модули RAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
модули RAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
модули RAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
модули RAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
модули RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
модули RAM
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
модули RAM