RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2543
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link