RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2742
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link